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ENERGÍA DE ENLACE DE EXCITONES EN POZOS CUÁNTICOS DE GaAs/Ga1-xA1 x As

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dc.contributor.authorAristizábal, Parménidesspa
dc.contributor.authorRestrepo, Ricardo Leónspa
dc.contributor.authorOspina, Walter Antoniospa
dc.contributor.authorDuque, Carlos Albertospa
dc.date.accessioned2013-10-09 00:00:00
dc.date.accessioned2022-06-17T20:15:54Z
dc.date.available2013-10-09 00:00:00
dc.date.available2022-06-17T20:15:54Z
dc.date.issued2013-10-09
dc.description.abstractEl uso de las estructuras de baja dimensionalidad es un elemento tecnológico clave en la creación de nuevos dispositivos cuánticos funcionales de la siguiente generación de circuitos integrados electrónicos, fotónicos y espintrónicos y muchos otros dispositivos nanotecnológicos que son necesarios para la sociedad de la información del siglo XXI. Una de las propiedades ópticas más importante es la fotoluminiscencia producida por agentes tales como impurezas y excitones en pozos, hilos y puntos cuánticos de arseniuro de galio GaAs con dimensiones nanométricas bajo la influencia de campos eléctricos y magnéticos y presiones externas. Se presenta la energía de enlace para los tres primeros estados excitónicos en pozos cuánticos de GaAs/Ga1-xA1xAs describiendo el sistema por medio de la teoría cuántica, en la aproximación de masa efectiva y usando el método variacional.Abstract: The use of low dimensional structures is a key technological element in the creation of new quantum functional devices in the development of the next generation of the electronic, photonic, and spintronicintegrated circuits and many other nanoscaled devices that are necessary for the information society of 21st century. One of the most important optical properties is the photoluminescence produced by agents as impurities and excitons in GaAs quantum wells, wires, and dots with nanometric dimensions under the influence of electric and magnetic fields and external pressures. The binding energy for the first three excitonic states in GaAs/Ga1-xA1xAs quantum wells describing the system through quantum theory in the effective mass approximation and using the variational method is presented.spa
dc.description.abstractEl uso de las estructuras de baja dimensionalidad es un elemento tecnológico clave en la creación de nuevos dispositivos cuánticos funcionales de la siguiente generación de circuitos integrados electrónicos, fotónicos y espintrónicos y muchos otros dispositivos nanotecnológicos que son necesarios para la sociedad de la información del siglo XXI. Una de las propiedades ópticas más importante es la fotoluminiscencia producida por agentes tales como impurezas y excitones en pozos, hilos y puntos cuánticos de arseniuro de galio GaAs con dimensiones nanométricas bajo la influencia de campos eléctricos y magnéticos y presiones externas. Se presenta la energía de enlace para los tres primeros estados excitónicos en pozos cuánticos de GaAs/Ga1-xA1xAs describiendo el sistema por medio de la teoría cuántica, en la aproximación de masa efectiva y usando el método variacional.Abstract: The use of low dimensional structures is a key technological element in the creation of new quantum functional devices in the development of the next generation of the electronic, photonic, and spintronicintegrated circuits and many other nanoscaled devices that are necessary for the information society of 21st century. One of the most important optical properties is the photoluminescence produced by agents as impurities and excitons in GaAs quantum wells, wires, and dots with nanometric dimensions under the influence of electric and magnetic fields and external pressures. The binding energy for the first three excitonic states in GaAs/Ga1-xA1xAs quantum wells describing the system through quantum theory in the effective mass approximation and using the variational method is presented.eng
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dc.identifier.eissn2463-0950
dc.identifier.issn1794-1237
dc.identifier.urihttps://repository.eia.edu.co/handle/11190/4676
dc.identifier.urlhttps://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/176
dc.language.isoengeng
dc.publisherFondo Editorial EIA - Universidad EIAspa
dc.relation.bitstreamhttps://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/download/176/173
dc.relation.citationeditionNúm. 7 , Año 2007spa
dc.relation.citationendpage126.
dc.relation.citationissue7spa
dc.relation.citationstartpage121
dc.relation.citationvolume4spa
dc.relation.ispartofjournalRevista EIAspa
dc.rightsRevista EIA - 2013eng
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesseng
dc.rights.coarhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2eng
dc.rights.creativecommonsEsta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0.eng
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0eng
dc.sourcehttps://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/176eng
dc.subjectestructuras de baja dimensionalidadeng
dc.subjectnanotecnologíaeng
dc.subjectexcitóneng
dc.subjectpozo cuánticoeng
dc.subjecthilo cuánticoeng
dc.subjectpunto cuántico. Keywordseng
dc.subjectlow dimensional structureseng
dc.subjectnanotechnologyeng
dc.subjectexcitoneng
dc.subjectquantum welleng
dc.subjectquantum wireeng
dc.subjectquantum dot.eng
dc.titleENERGÍA DE ENLACE DE EXCITONES EN POZOS CUÁNTICOS DE GaAs/Ga1-xA1 x Asspa
dc.title.translatedENERGÍA DE ENLACE DE EXCITONES EN POZOS CUÁNTICOS DE GaAs/Ga1-xA1 x Aseng
dc.typeArtículo de revistaspa
dc.typeJournal articleeng
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