Publicación: DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DOPADAS DE A-SI:H (TIPO N O TIPO P)
dc.contributor.author | Sarmiento Chávez, Ana Carolina | spa |
dc.contributor.author | Moreno Moreno, Mario | spa |
dc.contributor.author | Torres Jacacome, Alfonso | spa |
dc.contributor.author | García Barrientos, Abel | spa |
dc.contributor.author | Plaza Casastillo, Jairo | spa |
dc.date.accessioned | 2016-05-16 00:00:00 | |
dc.date.accessioned | 2022-06-17T20:19:09Z | |
dc.date.available | 2016-05-16 00:00:00 | |
dc.date.available | 2022-06-17T20:19:09Z | |
dc.date.issued | 2016-05-16 | |
dc.description.abstract | El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) surge como un material prometedor en la industria fotovoltaica gracias a su alto coeficiente de absorción y a su bajo costo de producción. En este trabajo se estudiaron las propiedades ópticas y eléctricas de películas de a-Si:H dopadas tipo p y tipo n tales como: transmitancia, coeficiente de absorción, conductividad, energía de activación y espesor. Dichas películas se fabricaron mediante la técnica Depósito Químico en fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD, por su sigla en inglés) a baja frecuencia con una temperatura de sustrato de 300 °C, variando el flujo de hidrógeno y de los gases dopantes. La caracterización de las películas se hizo mediante las técnicas de caracterización eléctrica, transmisión óptica y elipsometría UV – Visible. Los resultados muestran que el silicio amorfo hidrogenado es una buena alternativa para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos. | spa |
dc.description.abstract | El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) surge como un material prometedor en la industria fotovoltaica gracias a su alto coeficiente de absorción y a su bajo costo de producción. En este trabajo se estudiaron las propiedades ópticas y eléctricas de películas de a-Si:H dopadas tipo p y tipo n tales como: transmitancia, coeficiente de absorción, conductividad, energía de activación y espesor. Dichas películas se fabricaron mediante la técnica Depósito Químico en fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD, por su sigla en inglés) a baja frecuencia con una temperatura de sustrato de 300 °C, variando el flujo de hidrógeno y de los gases dopantes. La caracterización de las películas se hizo mediante las técnicas de caracterización eléctrica, transmisión óptica y elipsometría UV – Visible. Los resultados muestran que el silicio amorfo hidrogenado es una buena alternativa para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos. | eng |
dc.format.mimetype | application/pdf | spa |
dc.identifier.doi | 10.24050/reia.v12i2.962 | |
dc.identifier.eissn | 2463-0950 | |
dc.identifier.issn | 1794-1237 | |
dc.identifier.uri | https://repository.eia.edu.co/handle/11190/4975 | |
dc.identifier.url | https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.962 | |
dc.language.iso | spa | spa |
dc.publisher | Fondo Editorial EIA - Universidad EIA | spa |
dc.relation.bitstream | https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/download/962/861 | |
dc.relation.citationedition | Núm. 2 , Año 2016 : Edición especial Nanociencia y Nanotecnología 2 | spa |
dc.relation.citationendpage | 58 | |
dc.relation.citationissue | 2 | spa |
dc.relation.citationstartpage | 53 | |
dc.relation.citationvolume | 12 | spa |
dc.relation.ispartofjournal | Revista EIA | spa |
dc.rights | Revista EIA - 2016 | spa |
dc.rights.accessrights | info:eu-repo/semantics/openAccess | spa |
dc.rights.coar | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | spa |
dc.rights.creativecommons | Esta obra está bajo una licencia internacional Creative Commons Atribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0. | spa |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | spa |
dc.source | https://revistas.eia.edu.co/index.php/reveia/article/view/962 | spa |
dc.subject | Silicio amorfo | spa |
dc.subject | silicio hidrogenado | spa |
dc.subject | silicio amorfo dopado | spa |
dc.subject | películas de silicio amorfo | spa |
dc.subject | películas semiconductoras dopadas | spa |
dc.subject | películas de silicio hidrogenado. | spa |
dc.title | DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DOPADAS DE A-SI:H (TIPO N O TIPO P) | spa |
dc.title.translated | DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DOPADAS DE A-SI:H (TIPO N O TIPO P) | eng |
dc.type | Artículo de revista | spa |
dc.type | Journal article | eng |
dc.type.coar | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | spa |
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dc.type.content | Text | spa |
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dc.type.redcol | http://purl.org/redcol/resource_type/ARTREF | spa |
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dspace.entity.type | Publication |