Nanoestructoras Semiconductoras
URI permanente para esta colección
Navegar
Examinando Nanoestructoras Semiconductoras por Título
Mostrando 1 - 6 de 6
Resultados por página
Opciones de ordenación
Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2021-1Restrepo Arango, Ricardo León; Solano Pernett, Jorge Mario; Henriquez Tapias, Joshua EstebanSe presentan los cálculos teóricos de los niveles de energía de una impureza donadora poco profunda en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos estáticos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras del potencial de confinamiento, del ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos externos, respectivamente. Se discuten los efectos de los campos eléctricos sobre las energías de la impureza donadora en distintas configuraciones de la geometría de los pozos cuánticos acoplados. Se encuentra que las energías corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2021-2Carrillo Trejo, Erika Cecilia; Henriquez Tapias, Joshua Esteban; Solano Pernett, Jorge Mario; Morales Aranburu, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto; Restrepo Arango, Ricardo León; Semillero de Nanoestructuras Semiconductoras, Universidad EIASe presentan los cálculos téoricos de los niveles de energía para un electr ón en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos externos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras, el ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos y la concentración del azufre en las barreras de la heteroestructura, respectivamente. Se discuten los efectos de la variación de la concentración de azufre de los pozos cuánticos y de los campos eléctricos sobre los niveles de energía, en los elementos de la matriz de dipolo y en los coeficientes de la absorción óptica no lineal, además, de la combinación de ambos efectos en estas propiedades. Se encuentra que las transiciones electrónicas corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2022-1Henriquez Tapias, Joshua Esteban; Restrepo Arango, Ricardo LeónEn los procesos de fabricación de dispositivos optoelectrónicos, la estructura core-shell es muy recurrente pero difícil de controlar, la modelación geométrica de este tipo de potencial permite una buena aproximación al resultado de la fabricación, el estudio de estos modelos puede aportar elementos teóricos y numéricos basados en resultados experimentales y obtener un comportamiento de las propiedades estudiadas con mejor aproximación.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2022-2Avalos Estrada, Mateo; Gallego Álzate, Simón; Gallego Mesa, Farid Alejandro; Henríquez Tapias, Joshua Esteban; Henao Gómez, Carlos Mauricio; Restrepo Arango, Ricardo LeónEl potencial de confinamiento de electrones en un pozos cuánticos de GaN-InGaN-AlGaN-GaN está determinado por las diferencias de constante de red de los materiales de las barreras y del pozo. Estas diferencias producen campos eléctricos auto inducidos y auto polarizaciones en la heteroestructura. Se analiza la dependencia de la energía con la concentración de los materiales del pozo y de la barrera, además se varían sus longitudes de ambos. Se estudian estos efectos sobres las transiciones inter sub banda para los estados confinados del electrón. Los valores de la energía y las funciones de onda se calculan dentro de la aproximación de masa efectiva como función dependiente de las coordenadas y se usa la técnica de función de onda envolvente. Por el perfil asimétrico del potencial generado, los estados pueden estar ser muy bien localizados para diferentes configuraciones de los anchos del pozo cuántico, del ancho de la barrera y de la concentración misma.Ítem Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2023-1Abad, Johnatan; Gallego Alzate, Simón; Gallego Mesa, Farid Alejandro; Avalos Estrada, Mateo; Restrepo Arango, Ricardo León; rThe electron confinement potential in a GaN/InyGa1−yN/AlxGa1−xN/GaN quantum well is determined by the lattice constant differences of the barrier and well materials. These differences produce self-induced electric fields and self-polarizations in the heterostructure. The dependence of the energy with the concentration of the materials of the well and the barrier is analyzed, in addition their lengths of both are varied. These effects on the inter-subband transitions for the confined states of the electron are studied. The energy values and wave functions are calculated within the effective mass approximation as a function of the coordinates and the enveloping wave function technique is used.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2023-2Angie Liseth Prada Urrea; Santiago Fernando Machado Sánchez; Mateo Avalos Estrada; Ricardo León Restrepo ArangoSe considera la investigación teórica de las propiedades ópticas no lineales asociadas a las transiciones intra-banda electrónicas en hilos cuánticos helicoidales AlGaAs/GaAs en presencia de campos eléctricos y magnéticos externos. Además, se investigan los efectos de la geometría helicoidal del hilo cuántico y la energía del fotón incidente sobre los coeficientes de propiedades ópticas. La región de confinamiento en este hilo cuántico corresponde a un sistema núcleo/capa de un hilo cuántico helicoidal de GaAs en el núcleo, embebido en un cilindro cuántico de AlGaAs que es la capa. Los resultados revelan una dependencia significativa de las propiedades optoelectrónicas calculadas con las dimensiones de la nanoestructura del hilo cuántico helicoidal semiconductor y las intensidades de los campos eléctricos y magnéticos, estas respuestas están en los rangos de los terahertz.