Examinando por Autor "Restrepo Arango, Ricardo León"
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Publicación Acceso abierto Absorción Óptica en pozos cuánticos dobles de InGaN/AlGaN con deformación uniaxial: efectos de la estequiometría y los campos eléctricos autoinducidos(Universidad EIA, 2024) Botero Correa, Maximiliano; Restrepo Arango, Ricardo LeónRESUMEN: En este trabajo se calcula la absorción óptica no lineal para las transiciones intersubbandas de electrones en un sistema de cuatro niveles de energía en pozos cu{anticos dobles de AlGaN/InGaN con tensión uniaxial, teniendo en cuenta el efecto de las concentraciones de aluminio y de indio en la polarización de la nanoestructura, y se estudia la modificación del tamaño de los pozos y de la barrera central. La dependencia de la estequiometría de las barreras de AlGaN y de los pozos de InGaN afecta al perfil de la banda de conducción, la masa efectiva del electrón y la constante dieléctrica estática, además de la magnitud de los campos eléctricos autoinducidos. El potencial de confinamiento de los electrones está determinado por las diferencias en las constantes de red de los materiales de las barreras y de los pozos cuánticos, y el perfil queda configurado de la siguiente manera: AlρGa1−ρN/InyGa1−yN/AlϕGa1−ϕN/InyGa1−yN/AlρGa1−ρN. Estas diferencias generan no solo brechas de energ´ıa entre los materiales, sino también campos eléctricos autoinducidos y autopolarizaciones. En este trabajo se estudian y discuten los resultados de la dependencia de la energía con la concentración de los materiales del pozo y la barrera, y también se varían las longitudes de ambos. Estos efectos afectan a los valores de las transiciones intersublime de los estados de electrones confinados y a los elementos de la matriz de dipolo. Los valores de energ´ıa y las funciones de onda se calculan dentro de la aproximación de masa efectiva en función de las coordenadas y se utiliza la técnica de elementos finitos (FEM). Debido al perfil asimétrico del potencial generado, las probabilidades electr´onicas pueden estar bien localizadas para diferentes configuraciones del ancho del pozo cuántico, el ancho de la barrera central y las concentraciones de cada material. Los cálculos de las propiedades ópticas se realizan en el marco del enfoque de la matriz de densidad compacta y el método iterativo. Sin embargo, el acoplamiento entre ambos pozos cuánticos puede manipularse modulando la deformación. Los resultados revelan una dependencia significativa de las resonancias ópticas no lineales en las concentraciones de In y Al, así como en la anchura de los pozos cu{anticos. Las resonancias de las respuestas ópticas se encuentran en el espectro entre el infrarrojo lejano y el visible.Ítem Acceso abierto Absorción óptica en puntos cuánticos de materiales semiconductores biofuncionalizados(2024-09) Restrepo Arango, Ricardo León; Prada, A.; Agudelo Pérez, Natalia Andrea; Echeverri Cuartas, Claudia ElenaDadas las propiedades optoelectrónicas del arseniuro de galio (GaAs), actualmente es un candidato prometedor para el desarrollo de plataformas óptimas para dispositivos de biosensores ópticos. La biofuncionalización de este semiconductor se puede lograr utilizando biomateriales ampliamente explorados en las ciencias de la vida para diagnósticos. En este estudio, investigamos el impacto sinérgico de una capa de biomaterial funcional y un potencial de confinamiento diatómico en las propiedades electrónicas y ópticas de los puntos cuánticos esféricos de GaAs/AlGaAs/Bioshell. Los cálculos se realizaron mediante aproximaciones de masa efectiva y banda parabólica, y la ecuación de Schrödinger se resolvió para un electrón confinado utilizando el método de elementos finitos (FEM). Nuestros hallazgos revelan que las alteraciones en el tamaño del núcleo de GaAs, la capa de AlGaAs, la capa de biomaterial y los parámetros de potencial de confinamiento dan como resultado variaciones significativas en las energías de los puntos cuánticos de electrones y en el espectro de absorción óptica. Concluimos que los parámetros del potencial de confinamiento diatómico permiten ajustar las energías de los estados excitados y el fundamental, modulando así las amplitudes y posiciones de los picos en las propiedades ópticas obtenidas. Este control matizado sobre las propiedades de los puntos cuánticos es prometedor para adaptar el rendimiento de los dispositivos en aplicaciones de bio-detección óptica. Al mejorar la sensibilidad y la especificidad en la detección de biomoléculas, estos dispositivos podrían revolucionar el diagnóstico biomédico, ofreciendo una detección rápida y precisa de enfermedades o biomarcadores.Publicación Sólo datos DISPERSIÓN RAMAN DE ELECTRONES EN PUNTOS CUÁNTICOS PIRAMIDALES(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2016-05-16) Morales Aramburo, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto; Restrepo Arango, Ricardo LeónEn este artículo se investiga teóricamente la dispersión Raman de electrones en puntos cuánticos piramidales. Se reporta la sección transversal diferencial Raman electrónica de Raman usando los estados cuánticos determinados analíticamente dentro de la aproximación de masa efectiva. Las características de la sección transversal diferencial Raman se discuten en términos de su dependencia de los cambios de la geometría de punto cuántico.Publicación Sólo datos Editorial(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2016-10-25) Restrepo Arango, Ricardo LeónLa Revista EIA se complace en rendir un homenaje al Dr. Gabriel Poveda Ramos, Ingeniero Químico, Ingeniero Electricista, Matemático y Doctor en Ingeniería.Publicación Sólo datos Editorial(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2017-03-05) Restrepo Arango, Ricardo LeónLas revistas científicas en tiempos de la posverdad En el debate entre el conocimiento basado en hechos observables, con datos medibles, reproducibles y verificables, que llamamos conocimiento científico y las creencias personales, aparece una palabra artificial en inglés Post-truth que el diccionario Oxford ha escogido como la palabra de 2016 y se ha traducido al castellano como posverdad, cuya definición es “relativo a las circunstancias en las que los hechos objetivos influyen menos a la hora de modelar la opinión pública que los llamamientos a la emoción y a la creencia personal”, modelo de información usado en los medios de propaganda como método común para el proselitismo y un modo fácil de conseguir objetivos rápidos de influencia de masas.Publicación Sólo datos Editorial(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2017-09-12) Restrepo Arango, Ricardo LeónLa ciencia silenciosa¿Y qué pasaría si los seres humanos no fuésemos curiosos y no buscáramos el conocimiento? ¿Podemos vivir sin la ciencia? ¿De verdad podríamos existir como especie sin la ciencia? Los demás seres vivos del planeta lo han hecho y lo harán, pero nosotros no.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2021-1Restrepo Arango, Ricardo León; Solano Pernett, Jorge Mario; Henriquez Tapias, Joshua EstebanSe presentan los cálculos teóricos de los niveles de energía de una impureza donadora poco profunda en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos estáticos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras del potencial de confinamiento, del ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos externos, respectivamente. Se discuten los efectos de los campos eléctricos sobre las energías de la impureza donadora en distintas configuraciones de la geometría de los pozos cuánticos acoplados. Se encuentra que las energías corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2021-2Carrillo Trejo, Erika Cecilia; Henriquez Tapias, Joshua Esteban; Solano Pernett, Jorge Mario; Morales Aranburu, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto; Restrepo Arango, Ricardo León; Semillero de Nanoestructuras Semiconductoras, Universidad EIASe presentan los cálculos téoricos de los niveles de energía para un electr ón en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos externos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras, el ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos y la concentración del azufre en las barreras de la heteroestructura, respectivamente. Se discuten los efectos de la variación de la concentración de azufre de los pozos cuánticos y de los campos eléctricos sobre los niveles de energía, en los elementos de la matriz de dipolo y en los coeficientes de la absorción óptica no lineal, además, de la combinación de ambos efectos en estas propiedades. Se encuentra que las transiciones electrónicas corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2022-1Henriquez Tapias, Joshua Esteban; Restrepo Arango, Ricardo LeónEn los procesos de fabricación de dispositivos optoelectrónicos, la estructura core-shell es muy recurrente pero difícil de controlar, la modelación geométrica de este tipo de potencial permite una buena aproximación al resultado de la fabricación, el estudio de estos modelos puede aportar elementos teóricos y numéricos basados en resultados experimentales y obtener un comportamiento de las propiedades estudiadas con mejor aproximación.Publicación Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2022-2Avalos Estrada, Mateo; Gallego Álzate, Simón; Gallego Mesa, Farid Alejandro; Henríquez Tapias, Joshua Esteban; Henao Gómez, Carlos Mauricio; Restrepo Arango, Ricardo LeónEl potencial de confinamiento de electrones en un pozos cuánticos de GaN-InGaN-AlGaN-GaN está determinado por las diferencias de constante de red de los materiales de las barreras y del pozo. Estas diferencias producen campos eléctricos auto inducidos y auto polarizaciones en la heteroestructura. Se analiza la dependencia de la energía con la concentración de los materiales del pozo y de la barrera, además se varían sus longitudes de ambos. Se estudian estos efectos sobres las transiciones inter sub banda para los estados confinados del electrón. Los valores de la energía y las funciones de onda se calculan dentro de la aproximación de masa efectiva como función dependiente de las coordenadas y se usa la técnica de función de onda envolvente. Por el perfil asimétrico del potencial generado, los estados pueden estar ser muy bien localizados para diferentes configuraciones de los anchos del pozo cuántico, del ancho de la barrera y de la concentración misma.Ítem Acceso abierto Informe de Semillero de Investigación 2023-1Abad, Johnatan; Gallego Alzate, Simón; Gallego Mesa, Farid Alejandro; Avalos Estrada, Mateo; Restrepo Arango, Ricardo León; rThe electron confinement potential in a GaN/InyGa1−yN/AlxGa1−xN/GaN quantum well is determined by the lattice constant differences of the barrier and well materials. These differences produce self-induced electric fields and self-polarizations in the heterostructure. The dependence of the energy with the concentration of the materials of the well and the barrier is analyzed, in addition their lengths of both are varied. These effects on the inter-subband transitions for the confined states of the electron are studied. The energy values and wave functions are calculated within the effective mass approximation as a function of the coordinates and the enveloping wave function technique is used.Publicación Sólo datos POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2016-05-16) Martínez Rendón, Valentina; Castaño Uribe, Carolina; Giraldo Martínez, Andrea; González Pereira, Juan Pablo; Restrepo Arango, Ricardo León; Morales Aramburo, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos AlbertoSe presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.Ítem Acceso abierto Respuestas optoelectrónicas de nanoestructuras semiconductoras(2024-09) Restrepo Arango, Ricardo León; Prada, A.; Machado, S.; Calle, M; Ávalos, M.; Romero, J.Este trabajo se centra en la investigación de las propiedades optoelectrónicas de materiales semiconductores de baja dimensionalidad, con un enfoque particular en los puntos cuánticos con potenciales centrales. El objetivo es obtener las energías de los electrones y las propiedades ópticas no lineales en estos puntos cuánticos. Los puntos cuánticos son nanoestructuras comúnmente utilizadas en dispositivos optoelectrónicos para la detección de luz infrarroja, debido a su respuesta específica basada en su geometría y composición química. La modelación de estos componentes permite su uso en aplicaciones como la detección en tejido animal. Para lograr una mejor aproximación a la realidad en la obtención de las propiedades optoelectrónicas, se crean elementos teóricos y numéricos. Este enfoque proporciona una comprensión más profunda de los fenómenos a nivel cuántico y abre nuevas posibilidades para el desarrollo y la optimización de dispositivos optoelectrónicos basados en puntos cuánticos.Publicación Sólo datos Tabla de Contenidos Revista EIA VOL. 17 NÚM. 34 (2020)(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2020-06-21) Restrepo Arango, Ricardo LeónISSN 1794-1237 / e-ISSN 2463-0950 / Año 17 / Número 34 / Julio-Diciembre de 2020CONTENIDO
