Nanoestructoras Semiconductoras

URI permanente para esta colección

https://repository.eia.edu.co/handle/11190/3117

Navegar

Examinando Nanoestructoras Semiconductoras por Autor "Solano Pernett, Jorge Mario"

Mostrando 1 - 2 de 2
  • Miniatura
    PublicaciónAcceso abierto
    Informe de Semillero de Investigación 2021-1
    Restrepo Arango, Ricardo León; Solano Pernett, Jorge Mario; Henriquez Tapias, Joshua Esteban
    Se presentan los cálculos teóricos de los niveles de energía de una impureza donadora poco profunda en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos estáticos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras del potencial de confinamiento, del ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos externos, respectivamente. Se discuten los efectos de los campos eléctricos sobre las energías de la impureza donadora en distintas configuraciones de la geometría de los pozos cuánticos acoplados. Se encuentra que las energías corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.
  • Miniatura
    PublicaciónAcceso abierto
    Informe de Semillero de Investigación 2021-2
    Carrillo Trejo, Erika Cecilia; Henriquez Tapias, Joshua Esteban; Solano Pernett, Jorge Mario; Morales Aranburu, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto; Restrepo Arango, Ricardo León; Semillero de Nanoestructuras Semiconductoras, Universidad EIA
    Se presentan los cálculos téoricos de los niveles de energía para un electr ón en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos externos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras, el ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos y la concentración del azufre en las barreras de la heteroestructura, respectivamente. Se discuten los efectos de la variación de la concentración de azufre de los pozos cuánticos y de los campos eléctricos sobre los niveles de energía, en los elementos de la matriz de dipolo y en los coeficientes de la absorción óptica no lineal, además, de la combinación de ambos efectos en estas propiedades. Se encuentra que las transiciones electrónicas corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.