Nanoestructoras Semiconductoras

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Informe de Semillero de Investigación 2022-2
Avalos Estrada, Mateo; Gallego Álzate, Simón; Gallego Mesa, Farid Alejandro; Henríquez Tapias, Joshua Esteban; Henao Gómez, Carlos Mauricio; Restrepo Arango, Ricardo León
El potencial de confinamiento de electrones en un pozos cuánticos de GaN-InGaN-AlGaN-GaN está determinado por las diferencias de constante de red de los materiales de las barreras y del pozo. Estas diferencias producen campos eléctricos auto inducidos y auto polarizaciones en la heteroestructura. Se analiza la dependencia de la energía con la concentración de los materiales del pozo y de la barrera, además se varían sus longitudes de ambos. Se estudian estos efectos sobres las transiciones inter sub banda para los estados confinados del electrón. Los valores de la energía y las funciones de onda se calculan dentro de la aproximación de masa efectiva como función dependiente de las coordenadas y se usa la técnica de función de onda envolvente. Por el perfil asimétrico del potencial generado, los estados pueden estar ser muy bien localizados para diferentes configuraciones de los anchos del pozo cuántico, del ancho de la barrera y de la concentración misma.